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雜芳炔在合成中的應(yīng)用及其選擇性預(yù)測模型

雜芳炔是合成多取代雜芳環(huán)的重要前體,在天然產(chǎn)物合成中有較廣泛應(yīng)用。本文旨在介紹預(yù)測親核試劑與雜芳炔反應(yīng)區(qū)域選擇性的“扭轉(zhuǎn)角”模型和吲哚炔和吡啶炔在合成中的應(yīng)用。本文撰寫內(nèi)容參考加州大學(xué)洛杉磯分校Neil K. Garg教授在JOC上發(fā)表的Synopsis文章。

1953Roberts等人證明苯炔中存在一個(gè)碳碳叁鍵以來,苯炔類化合物作為一種有潛力的合成中間體被廣泛應(yīng)用于多取代芳烴的合成當(dāng)中。

 

有兩個(gè)問題限制了芳炔的應(yīng)用:①芳炔前體的合成②非對稱芳炔區(qū)域選擇性的調(diào)控。Kobayashi等人發(fā)展的TMS/OTf類型的苯炔前體是苯炔化學(xué)的重要突破,其中甲氧基取代的苯炔通過誘導(dǎo)效應(yīng)能實(shí)現(xiàn)較好的區(qū)域選擇性。

 

本文重點(diǎn)介紹一種預(yù)測芳炔區(qū)域選擇性的“扭轉(zhuǎn)角”模型UCLANeil K. Garg教授及其合作者在該領(lǐng)域做出了開創(chuàng)性的成果。由于芳炔環(huán)內(nèi)存在碳碳叁鍵,故具有較大的張力導(dǎo)致其碳原子雜化成分發(fā)生改變。根據(jù)物理有機(jī)化學(xué)的基本原理,雜化方式(s軌道和p軌道成分)與鍵角有關(guān)聯(lián),而s軌道和p軌道的比例會造成兩個(gè)碳原子的電荷分布差異。簡單的說就是,通過DFT計(jì)算鍵角來判斷芳炔內(nèi)叁鍵的電荷分布,進(jìn)而判斷區(qū)域選擇性。如下圖所示:甲氧基苯炔左側(cè)鍵角遠(yuǎn)大于右側(cè)鍵角,則參與形成叁鍵的兩個(gè)碳原子,C1具有更多的p軌道成分,電子云密度低具有正電荷特征,更容易被親核試劑進(jìn)攻。

 


基于該模型,可以預(yù)測各種雜芳炔和親核試劑反應(yīng)的區(qū)域選擇性。相差角度越大,反應(yīng)選擇性越好。




基于該模型,可以通過在芳炔上引入取代基來增強(qiáng)反應(yīng)的選擇性。例如在indolactam V的全合成中,在吲哚炔的6位引入溴,后續(xù)再發(fā)生脫溴反應(yīng)就能實(shí)現(xiàn)其與氮親核試劑的高效反應(yīng)。


 

在吡啶炔上引入溴原子或胺磺酸酯基可以增強(qiáng)其選擇性,而溴原子或胺磺酸酯基可以后期脫去。



 

總結(jié):本文主要介紹關(guān)于芳炔區(qū)域選擇性的“扭轉(zhuǎn)角”模型,其背后的物理有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)知識值得注意。芳炔前體可以一步反應(yīng)形成多根化學(xué)鍵芳炔化學(xué),其在天然產(chǎn)物全合成和材料分子合成中有較好的應(yīng)用。


參考文獻(xiàn):10.1021/jo402723e

來源:EOC化學(xué)



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